公司簡介 單晶生長科技的先驅 晶赫泰科技 專注於化合物半導體單晶生長技術。我們致力於建立碳化矽(SiC)單晶生長基地,提供優質關鍵化合物基板解決方案。我們的生產線不斷擴大,在全球範圍內運營,以確保每件產品都符合最高的品質標準。晶赫泰科技致力於透過創新技術和專業的團隊,成為複合半導體領域的領導者,為客戶提供卓越的產品和服務。 選擇晶赫泰科技 鋪就成功之路 從短期勝利到長期願景:建構碳化矽 (SiC) 創新的可擴展未來晶赫泰科技致力於提供世界一流的碳化矽 (SiC) 解決方案,透過結構良好的路線圖確保持續成長和獲利能力。我們的策略著重短期成就、中期擴大規模和長期創新——每一步都旨在鞏固我們在半導體產業領先地位。 短期成功因素 鞏固堅實基礎 我們最初成功的關鍵在於確保營運的穩定性、精確性以及與客戶期望的一致。這些關鍵因素為快速發展和市場採用奠定了基礎。 員工選拔與資格 建立一支具有技術專長和深厚行業知識的高效團隊,以推動創新和卓越營運。 製程穩定性 建立一致的生產流程,以確保產品品質的統一並最大限度地減少差異,從而提高可靠性和客戶信任度。 內部特性 實施詳細的內部測試和監控系統,以微調產品效能並維持高標準。 客戶關係 與客戶密切合作,驗證和鑑定產品,獲得批准並建立長期合作夥伴關係。 研發向測試線轉移 將尖端研究從開發階段無縫過渡到測中試線,實現可擴展生產,同時不影響創新。 中期成功因素 精準有效率地擴展 從中期來看,重點將轉向擴大生產能力和優化流程,以提高產量和營運效率。這一階段對於銜接試生產和大規模生產並提高獲利能力至關重要。 1 熔爐系列製造與設計凍結 透過「精確複製」方法標準化熔爐設計,以確保一致的性能和易於擴展。 2 將試驗線擴大至量產 在維持製程穩定的前提下擴大產能,為大規模生產做好準備。 3 產量優化和製程穩定性 不斷提高產量和製程效率來增加產量並減少浪費。 4 增加晶圓長度 重點關注晶錠生長科技優化,以提高材料利用率並提高生產效率。 5 保持品質並擴大熔爐產能 在不犧牲品質的情況下增加更多的生產爐,並支持持續成長。 6 創造營業獲利 利用優化的營運實現強勁的財務回報並增加股東價值。 長期成功因素 創 新 未 來 長期策略是確保技術領先地位並擴展新市場。它圍繞著創新、更大的晶圓尺寸以及深化客戶關係以滿足未來的需求。 專利科技研發 保護智慧財產權和關鍵科技專業知識,以保持市場競爭優勢。 晶圓生產試驗線 建立可靠、高容量的晶圓製造試驗線,確保未來成長的一致供應鏈。 8吋晶圓產品開發 透過開發效率更高的8吋晶圓引領市場,可望成為業界標準。 8 吋晶圓的客戶合作 與客戶合作,將 8 吋晶圓鑑定並整合到他們的生產流程中,確保為市場採用做好準備。 擴大至 8 吋試驗生產線 擴大8吋晶圓的生產能力,使公司走在下一代半導體技術的前端。 與我們合作,共創未來 與我們合作,成為下一波半導體成長的一部分,推動技術進步並為產業提供持續領先的價值。 想了解更多? 獲得免費諮詢! 預約免費諮詢