公司簡介
單晶生長科技的先驅
晶赫泰科技 專注於化合物半導體單晶生長技術。我們致力於建立碳化矽（SiC）單晶生長基地，提供優質關鍵化合物基板解決方案。
我們的生產線不斷擴大，在全球範圍內運營，以確保每件產品都符合最高的品質標準。
晶赫泰科技致力於透過創新技術和專業的團隊，成為複合半導體領域的領導者，為客戶提供卓越的產品和服務。
選擇晶赫泰科技
鋪就成功之路
從短期勝利到長期願景：建構碳化矽 (SiC) 創新的可擴展未來
晶赫泰科技致力於提供世界一流的碳化矽 (SiC) 解決方案，透過結構良好的路線圖確保持續成長和獲利能力。我們的策略著重短期成就、中期擴大規模和長期創新——每一步都旨在鞏固我們在半導體產業領先地位。
短期成功因素
鞏固堅實基礎
我們最初成功的關鍵在於確保營運的穩定性、精確性以及與客戶期望的一致。這些關鍵因素為快速發展和市場採用奠定了基礎。
員工選拔與資格
建立一支具有技術專長和深厚行業知識的高效團隊，以推動創新和卓越營運。
製程穩定性
建立一致的生產流程，以確保產品品質的統一並最大限度地減少差異，從而提高可靠性和客戶信任度。
內部特性
實施詳細的內部測試和監控系統，以微調產品效能並維持高標準。
客戶關係
與客戶密切合作，驗證和鑑定產品，獲得批准並建立長期合作夥伴關係。
研發向測試線轉移
將尖端研究從開發階段無縫過渡到測中試線，實現可擴展生產，同時不影響創新。
中期成功因素
精準有效率地擴展
從中期來看，重點將轉向擴大生產能力和優化流程，以提高產量和營運效率。這一階段對於銜接試生產和大規模生產並提高獲利能力至關重要。
1
熔爐系列製造與設計凍結
透過「精確複製」方法標準化熔爐設計，以確保一致的性能和易於擴展。
2
將試驗線擴大至量產
在維持製程穩定的前提下擴大產能，為大規模生產做好準備。
3
產量優化和製程穩定性
不斷提高產量和製程效率來增加產量並減少浪費。
4
增加晶圓長度
重點關注晶錠生長科技優化，以提高材料利用率並提高生產效率。
5
保持品質並擴大熔爐產能
在不犧牲品質的情況下增加更多的生產爐，並支持持續成長。
6
創造營業獲利
利用優化的營運實現強勁的財務回報並增加股東價值。
長期成功因素
創 新 未 來
長期策略是確保技術領先地位並擴展新市場。它圍繞著創新、更大的晶圓尺寸以及深化客戶關係以滿足未來的需求。
專利科技研發
保護智慧財產權和關鍵科技專業知識，以保持市場競爭優勢。
晶圓生產試驗線
建立可靠、高容量的晶圓製造試驗線，確保未來成長的一致供應鏈。
8吋晶圓產品開發
透過開發效率更高的8吋晶圓引領市場，可望成為業界標準。
8 吋晶圓的客戶合作
與客戶合作，將 8 吋晶圓鑑定並整合到他們的生產流程中，確保為市場採用做好準備。
擴大至 8 吋試驗生產線
擴大8吋晶圓的生產能力，使公司走在下一代半導體技術的前端。
與我們合作，共創未來
與我們合作，成為下一波半導體成長的一部分，推動技術進步並為產業提供持續領先的價值。