產品科技
卓越的半導體創新
先進碳化矽晶體生長創新技術獲得專利
晶赫泰科技榮幸地宣布，我們專利申請「一種具有多個沉積位置的晶體生長裝置及其製造工藝」（申請號112147969）已成功通過智慧財產權局的審查。這一里程碑體現了我們致力於推動碳化矽 (SiC) 技術並保持半導體創新領先優勢的承諾。我們將繼續推動技術卓越並提供高品質的解決方案以滿足行業不斷變化的需求。
目前中國和歐盟的專利申請正在審查中。
SiC 晶片生長科技
與測量技術
碳化矽 (SiC) 處於半導體創新的前沿，尤其是在高功率和高頻率應用領域。生產高品質的SiC晶片涉及複雜的製程和嚴格的測量技術。隨著對 SiC 的需求不斷增長，生長技術和缺陷表徵的進步將在滿足行業嚴格的品質標準方面發揮至關重要的作用。
透過投資強大的測量系統和優化生長過程，SiC 製造商可以為下一代半導體應用實現更高的產量、減少缺陷並提供更優質的產品。
SiC 生長過程
SiC晶片的生產始於精心控制的晶體生長過程。 SiC 是在高溫環境下將矽 (Si) 和碳 (C) 結合，促進從種子晶體的垂直和橫向生長而形成的。
缺陷檢測與表徵
檢測和減少缺陷對於提高 SiC 生產的產量和品質至關重要。在生長的不同階段採用各種先進的測量技術來監測和控制此過程。
測量技術
精確的表徵工具有助於監測成分、應力和缺陷密度，確保高品質的生產。
主要測量方法包括：
SIMS （二次離子質譜法）
XPS （X射線光電子能譜）
X射線繞射 (XRD) 和 拉曼光譜
TEM （透射電子顯微鏡）
AFM （原子力顯微鏡）和 OM （光學顯微鏡-蝕刻）
電氣特性 （霍爾效應，DLTS）
克服技術挑戰
為了確保一致的品質和產量，製造商必須解決各種技術障礙，例如：
製程穩定性：在生長過程中保持穩定的溫度和氣體流量可減少熱應力和微孔。
Defect Reduction：先進的種子準備和優化的生長條件有助於最大限度地減少缺陷。
設施和設備最佳化：定期維護和校準晶體生長設備可提高可靠性。
重新定義 SiC 技術
具有多個沉積點的晶體生長裝置
高品質碳化矽（SiC）晶片的生長對於電力電子和先進半導體應用的發展至關重要。然而，確保碳化矽晶體生產的優異產量和性能並非沒有挑戰。微管、彗星和凹洞等缺陷會嚴重影響晶圓的品質並限制大規模生產。
創新解決方案
具有多個沉積點的晶體生長裝置解決了這些挑戰，為優化碳化矽晶體生長和提高產量提供了創新的解決方案。
多沉積點裝置代表了碳化矽晶體生長技術的重大進步。這種方法可以實現控製成核，降低缺陷密度並提高結構均勻性。
多沉積點裝置透過確保對成核的精確控制來最大限度地減少晶體形成過程中的缺陷，從而產生高度均勻的碳化矽晶體。
透過實現多個地點同時進行晶體生長，該技術顯著提高了沉積速度，同時保持一致的品質。
不斷提高產量和製程效率來增加產量並減少浪費。
未來遠景
這種創新方法符合業界對更大直徑晶圓和更有效率製造流程的追求。隨著汽車、再生能源和下一代通訊網路對 SiC 的需求不斷增長，多沉積點設備等進步對於保持技術領先地位和滿足不斷變化的市場需求至關重要。