公司里程碑
引領複合半導體的未來
晶赫泰科技在碳化矽（SiC）單晶生長方面取得突破性進展，引領複合半導體產業。
我們致力於創新、精準和全球可擴展性，確保我們始終處於下一代半導體材料的前沿。
卓越之旅
2023 年：奠定基礎
- 安裝並驗證兩台高科技爐，用於 SiC 成長。
- 優化產量，達到 40% 的生產效率。
2024 年：擴張與創新
- 擴增四台額外的爐體，提高生產能力。
- 開發 8 吋 SiC 晶圓，樹立業界新標準。
- 產量提升至 50%，並將晶柱長度從 22mm 增加至 25mm。
2025-2026 年：擴大規模生產
- 建立 12 台爐體的試點生產線，朝向全面量產邁進。
- 進一步提高產量至 60%-65%，並將晶柱長度提升至 28mm。
2027-2029：全球領先的 SiC 晶圓產量
- 穩定季度生產，每批次使用 36 台爐體。
- 產量持續穩定於 65%。
- 全面展示 8 吋 SiC 晶圓，革新半導體應用。